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Stage - Caractérisations électro-optiques et modélisation de photodiodes PiN pour l'imagerie IR H/F

CEA
Francia  Grenoble, Francia
Stage, Scienza/Ricerca, Francese
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Descrizione del lavoro:

Description du poste

Domaine

Optique et optronique

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage - Caractérisations électro-optiques et modélisation de photodiodes PiN pour l'imagerie IR H/F

Sujet de stage

Caractérisations électro-optiques et modélisation de photodiodes PiN pour l'imagerie InfraRouge

Durée du contrat (en mois)

5 à 6

Description de l'offre

Au sein de notre laboratoire d'une vingtaine de personnes, en tant que stagiaire, votre rôle consistera à :
- Caractériser en laboratoire des photodiodes PiN à base de HgCdTe. Ces diodes ont été fabriquées au sein du LETI par les équipes du DPFT. Elles ont pour objectif de permettre un fonctionnement de nos détecteurs IR très haute température (>130K pour des coupures dans le moyen IR) ou d'obtenir des performances meilleures que les diodes standard (réduction du courant d'obscurité). Cette technologie nécessite de lever plusieurs verrous technologiques. Les mesures seront réalisées à basse température dans un environnement cryogénique (typiquement de 77K à 300K)
- Utiliser tous les bancs de mesure mis à disposition pour permettre une meilleure compréhension des objets réalisés (mesures IV, CV, Effet Hall, FTIR, …), dans des conditions expérimentales variées (température, flux photonique, …)
- Proposer un modèle physique simplifié prenant en compte les différentes géométries de design diodes dessinées ainsi que les paramètres physiques variables explorés pendant les expérimentations pour aider au développement de cette technologie de photodiode.
- Réaliser des simulations numériques avec l'aide d'outil TCAD des photodiodes PiN.

Profil du candidat

Vous êtes titulaire d'un master, dans le domaine de la physique des composants à base de matériaux semi-conducteurs et avez envie d'une expérience dans le monde de la recherche appliquée.

Les principales compétences techniques requises au poste sont : physique de la jonction PN et du semi-conducteur. Mesures électrique et électro-optique : courant-tension, capacité-tension, détection synchrone, FTIR, cryogénie. Aisance pour le traitement des données. Attrait pour le travail expérimental et la simulation et/ou modélisation physique.
Vous êtes reconnu(e) pour votre rigueur expérimentale, votre capacité d'analyse des données, votre bonne compréhension des phénomènes physiques, et votre sens de l'organisation.

Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :

* Un cadre de recherche unique, dédié à des projets ambitieux au service des grands enjeux sociétaux,
* Un environnement de travail high-tech et des équipements de recherche à la pointe de l'innovation,
* Un campus au cœur de la métropole, facilement accessible en mobilité douce,
* Un équilibre vie privé - vie professionnelle reconnu,
* Une participation aux frais de restauration, de transport et de logement (sous conditions),
* Des encadrants bienveillants, passionnés et ayant l'envie de transmettre,
* Une politique diversité et inclusion,
* De réelles opportunités de carrière à l'issue de votre stage, notamment à travers la préparation d'une thèse en doctorat.

Tous nos postes sont ouverts aux personnes en situation de Handicap. La Mission Handicap du CEA vous accompagne et met en place les aménagements nécessaires à vos besoins spécifiques

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

Grenoble

Critères candidat

Langues

Anglais (Courant)

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Formation recommandée

Master 2 en physique des dispositifs à semi-conducteurs ou en photonique

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

03/02/2025

Provenienza: Web dell'azienda
Pubblicato il: 14 Set 2024
Tipo di impiego: Stage
Settore: Governo / Non-profit
Lingue: Francese
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