STAGE - Analyse de l'évolution du courant de fuite des composants digitaux au travers des nœuds technologiques

Descripción del puesto:

Chez ST, nous croyons à la puissance de la technologie pour stimuler l'innovation et avoir un impact positif sur les personnes, les entreprises et la société. Nous sommes une entreprise mondiale de semi-conducteurs, et notre technologie avancée ainsi que nos puces constituent la partie invisible du monde dans lequel nous vivons aujourd'hui.

Lorsque vous rejoignez ST, vous faites partie d'une entreprise globale de plus de 115 nationalités et présente dans 40 pays, avec plus de 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques à travers le monde ! Tous ensemble, nous formons une seule et même ST.

Développer des technologies nécessite plus que du talent : il faut des personnes incroyables qui comprennent la culture de collaboration et de respect. Il faut des personnes passionnées, et avec l'envie de bouleverser le statu quo, de repousser les limites et de stimuler l'innovation, tout en libérant leur potentiel.

ST a reçu la certification Top Employer France et le label HappyTrainees 2024 qui nous reconnaissent en tant qu'employeur de référence et démontrent notre engagement à placer l'humain au cœur de nos priorités.
A propos de vos missions
Au sein de l'organisation de R&D de (COMPANY NAME) à Crolles(38), le département SQH dessine des circuits de test dans de nombreux nœuds technologiques offert par les FABS 300mm et 200mm de ST.
Il dispose d'une grande base de données de mesures de courant de fuites effectuées sur ces circuits. Le courant de fuite est un élément clef des performances des circuits digitaux puisqu'il a un impact sur la consommation de ces circuits et donc sur la fréquence de recharge des batteries qui les alimentent (dans les applications mobiles en tout cas).
Le sujet proposé couvre les aspects suivants :
* Pour un circuit de test identifié et dans un nœud technologique donné, s'assurer de la cohérence des mesures disponibles sur les blocs du circuit. Certains de ces blocs sont conçus en 'flow digital' donc avec une densité de transistor par unité de surface maximum, d'autres non. Il s'agira de définir une figure de mérite commune qui permettra de les comparer.
Cette étude pourra s'étendre dans le domaine de la CAO, et déterminer si les prévisions de la CAO sur le courant de fuites sont aussi cohérentes.
(NB : la base de données (mesures Silicium/prévisions CAO) sera disponible à l'arrivée du stagiaire)
* Cette étude devra ensuite est reproduite dans un nœud technologique plus avancé, de façon à mettre en évidence l'évolution du courant de fuite. L'objectif est de corréler cette évolution avec les modifications transistors entre ces 2 nœud technologique.
A propos de vous
* Vous êtes autonome, créatif et rigoureux, savez faire preuve d'initiative
* Vous maitrisez l'anglais
* Vous avez une bonne compréhension de la physique du semi-conducteur et du fonctionnement des composants/portes simple en technologie CMOS
Nous encourageons tous les candidats et toutes les candidates, à postuler même s'ils ne répondent pas à tous les critères de l'offre car nous apprécions les profils variés et offrons des opportunités d'évolution et de formation. La diversité, l'équité et l'inclusion (DEI) font partie de la culture de notre entreprise. Notre vision DEI est : « Chez ST, vous pouvez être la vraie version de vous-même », nous valorisons les contributions de chacun et chacune, et avons une tolérance zéro pour toute forme de discrimination.

Nous rejoindre, c'est aussi opter pour un meilleur équilibre entre vie professionnelle et vie personnelle, et un environnement de travail offrant des opportunités égales. Des groupes de ressources dédiés aux femmes, aux LGBTQIA+, des possibilités d'organisation du travail hybrides font partie des nombreuses initiatives qui font de ST un endroit propice pour le développement de votre carrière.

Pour en savoir plus, visitez st.com/careers